3. 치아우식병 발생요인

(1) 숙주요인

① 치아요인: 치아성분, 치아형태, 치아위치, 치아배열

② 타액요인

•타액의 유출량 ↓ 우식에 취약

•타액의 점조도 ↑ 우식에 취약

•타액의 수소이온농도(pH값이 낮을수록 ↓) 우식에 취약

•타액의 완충작용 ↓ 우식에 취약

•타액의 항균작용 ↓ 우식에 취약

③ 구강외 신체요인: 연령, 성별, 종족, 유전, 발육장애, 정서장애

(2) 병원체 요인

연쇄상구균(Streptococcus mutans)

(3) 환경요인

① 구강 내 환경요인: 치면세균막, 구강환경, 구강온도

② 구강 외 환경요인

•자연 환경요인: 식음수 불소이온농도

•사회 환경요인: 경제수준, 생활환경, 음식습관

4. 치아우식 발생요인 작용기구

1) 화학세균설

1980년 W. D. Miller에 의하여 주장한 것으로 세균이 만든 화학물질, 즉 산 성분에 의해서 치아표면이 탈회되고 치질 내 유기성분이 용해되는 과정

2) 스테판 곡선

① 포도당용액 양치 후 나타나는 치면세균막 pH의 변화 곡선

② 탈광질화(광질이탈)를 일으키는 구강 내 산 생성 현상을 측정하여 기록한 것

그림 스테판곡선

③ 광질이탈이 가능한 수소이온농도: 약 pH 5.0~5.5 내외

④ 타액에 의한 자정작용으로 pH가 정상 수준으로 회복: 약 20~30분 소요

→ 수면 중이거나 타액 감소증 환자는 pH가 쉽게 회복하지 못함

3) 법랑질 내 초기우식 병소

① 광질이탈 ＞ 광질침착: 탈광질화 됨

② 광질이탈 ＜ 광질침착: 광질화

③ 광질 재침착: 재광질화

④ 표면층: 타액으로부터 광질이 침착, 내산성 강함

⑤ 병소체층: 광질이탈이 가장 심함, 가장 넓은 공간 차지

⑥ 불투명층: 광질침착이 생김, 병소체층의 직하방

⑦ 반투명층: 가장 깊은 곳에서 광질이탈 시작, 건전한 법랑질에 접한 최심층

5. 치아우식병의 예방법

(1) 숙주요인 제거법

① 치질내 산성 증가법: 불소복용법, 불소도포법

② 세균침입로 차단법: 치면열구전색법, 질산은 도포법

(2) 병원체요인 제거법

① 당질분해 억제법: 비타민 K 이용, 사르코사이드 이용

② 세균증식 억제법: 요소, 암모늄화합물 배합세치제 사용법, 엽록소, 나이트로훠란, 항생제배합 세치제 사용법

(3) 환경요인 제거법

① 치면세균막관리법(세치법): 칫솔질, 치간세정(치간칫솔, 치실), 치면세마, 껌 저작

② 음식물관리법: 우식성식품 금지, 청정식품 섭취

* 4단 치아우식예방법: 치면세균막관리, 불소이용, 치면열구전색, 식이조절

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